[11a-Z23-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [11a-Z23-4] Characterization of lateral spread of implanted ions in a SiC substrate by scanning electron microscopy and scanning capacitance microscopy

〇Qimin Jin¹, Masashi Nakajima¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:silicon carbide, ion implantation, lateral spread

SiCは、高温・耐放射線の厳環境デバイス材料として有望視されており、我々はノーマリオフ型n-、p-JFETを組み合わせた相補型JFET(CJFET)による論理回路を提案している。CJFET構成にあたり、n-、p-JFETそれぞれの閾値電圧はCJFET回路の論理閾値を決定するため、その精密制御が必要となる。本研究では、閾値電圧決定に重要であるイオン注入時の横方向広がりの解釈に向け、SEM・SCM測定により横方向広がりの定量化を試みる。