[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-Z23-4] SEM・SCM測定によるSiC基板における注入イオンの横方向広がりの定量測定

〇金 祺民¹、中島 誠志¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素, イオン注入, 横方向広がり

SiCは、高温・耐放射線の厳環境デバイス材料として有望視されており、我々はノーマリオフ型n-、p-JFETを組み合わせた相補型JFET(CJFET)による論理回路を提案している。CJFET構成にあたり、n-、p-JFETそれぞれの閾値電圧はCJFET回路の論理閾値を決定するため、その精密制御が必要となる。本研究では、閾値電圧決定に重要であるイオン注入時の横方向広がりの解釈に向け、SEM・SCM測定により横方向広がりの定量化を試みる。