[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-Z23-5] Al濃度10²⁰ cm^-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の
電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係

〇(M1)近藤 佑樹¹、竹下 明伸¹、今村 辰哉¹、高野 晃大¹、奥田 和也¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.大阪電通大、2.産総研)

キーワード：p型4H-SiC, Al濃度10^20 cm^-3台前半, 電気抵抗率の温度依存性

本研究ではCVD法による試料における、C_Al が1.8×10²⁰ cm^-3から3.5×10²⁰ cm^-3の超高濃度Al ドープ4H-SiC の抵抗率の温度依存性（ln ρ(T) –T^-1/4）とC_Alとの関係について議論する。