[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-Z23-8] シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気伝導機構の解析

〇花房 宏明¹、東堂 大地²、東 清一郎¹ (1.広島大先進理工、2.広島大先端研)

キーワード：炭化ケイ素, オーミックコンタクト, シリサイド熱処理

シリコンキャップアニール(SiCA)を行うことでSiCに対して電極金属を堆積するのみで低抵抗コンタクトが得られる。高抵抗層にSiCA処理を施したサンプル上にショットキーバリアダイオードを作製し、導入される欠陥量や電気伝導機構の解析を試みた。その結果、SiCAにより4H-SiC表面に10¹⁹cm^-3を超える欠陥が導入され、表面ポテンシャルが薄く急峻になり、トンネル電流が支配的に流れることでオーミックコンタクトが形成されていることが示唆された。