[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-Z23-9] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiCウェハ内部の熱拡散過程の可視化

〇藤本 渓也¹、小柳 樹²、水川 友里¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工、2.広大院先端研)

キーワード：半導体, SiC, 光学干渉非接触温度測定法

SiCパワーデバイスの温度を直接観察することができれば、より正確なデバイスシミュレーションや熱によって発生した欠陥の検出が可能になると考えられる。本研究では、我々が開発している光学干渉非接触温度測定技術を応用してSiCウェハ内部の熱拡散過程の可視化を試みた。