[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

[11a-Z29-12] p⁺-MoS₂/WSe₂接合を用いたWSe₂への低温オーミック電極の実現

〇竹山 慶¹、守谷 頼¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^2,1、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：層状半導体, TMD

金属蒸着法では作製が難しいTMDに対するオーミック電極をvdW接合を用いることによって実現した。WSe₂/p⁺-MoS₂ vdWコンタクトを採用したトランジスタで電極の特性評価と2端子測定によるチャネル特性の評価を行なった。