[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-Z01-1] Electrical properties of Mg₂Sn crystals grown from various Mg-Sn melt compositions

〇Naofumi Tsuchiya¹, Sho Sato¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Mg2Sn

Mg₂SnはMg₂Siに比べて禁制帯幅が狭く、正孔移動度も高いため、室温付近で利用できるpn対の揃った単一の熱電変換材料として注目できる。これまで焼結材料のMg₂SiSn多結晶体の研究は熱電変換材料として盛んに行われているが、Mg₂Sn単結晶についての電気特性の報告は限定的である。Lichterらは、化学量論比からずれたMg/Sn融液組成で結晶を成長した場合、融液組成がMg-richとSn-richで、飽和キャリアがそれぞれp型、n型を示すと報告している。今回、我々はより高純度な原料とルツボ材料を使用してMg₂Sn単結晶を成長し、Mg-Sn融液の化学量論比からのずれが結晶の電気特性に及ぼす影響を調査した。