[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-Z01-2] Carrier lifetime of Mg₂Si pn-junction diode measured by OCVD method (II)

〇(M1)Naoki Mizunuma¹, Fumiya Takahashi¹, Rio Okada¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Mg2Si

我々は、Mg₂Si基板を用いた赤外線センサの開発を進めている。これまでにOCVD法を用いてpn接合Mg₂Siダイオードの少数キャリアライフタイムを評価しており、前回、表面にAu/Ag及びAgのみを真空蒸着させ熱拡散でpn接合を作製した場合、後者の方がライフタイムが長い結果が得られたことを報告した。しかし他にもライフタイムを制限している要因があると考えられるため、今回は基板結晶のキャリア濃度に着目した。