[11p-Z03-3~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[11p-Z03-3] Generation and annihilation of plasma-induced defects ~effects on c-Si surface passivation~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Hajime Sakakita¹, Kazunori Koga^2,3, Masaharu Shiratani² (1.AIST RIAEP, 2.Kyushu Univ, 3.NINS)

Keywords:passivation, plasma, silicon

半導体デバイスにおいて、結晶シリコン(c-Si)の表面パッシベーションはデバイス性能の向上に向け重要な役割を担う。表面パッシベーションは、表面の欠陥を終端しキャリアの再結合を抑止することを意味し、通常、ワイドギャップ材料のパッシベーション膜をc-Si上にプラズマ成膜法により形成することで得られる。しかしながら、パッシベーション膜形成時に、c-Si表面近傍にプラズマ誘起欠陥が発生しデバイス性能を低下させることが懸念されている。そこで今回、水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を一例として取り上げ、プラズマ成膜時におけるa-Si:H/c-Si界面近傍の欠陥の発生と修復を調べたので報告する。