[11p-Z03-3~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11p-Z03-3] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～結晶シリコンの表面パッシベーションへの影響～

〇布村 正太¹、坂田 功¹、榊田 創¹、古閑 一憲^2,3、白谷 正治² (1.産総研電子光基礎RI、2.九大シス情、3.自然科学研究機構)

キーワード：パッシベーション, プラズマ, シリコン

半導体デバイスにおいて、結晶シリコン(c-Si)の表面パッシベーションはデバイス性能の向上に向け重要な役割を担う。表面パッシベーションは、表面の欠陥を終端しキャリアの再結合を抑止することを意味し、通常、ワイドギャップ材料のパッシベーション膜をc-Si上にプラズマ成膜法により形成することで得られる。しかしながら、パッシベーション膜形成時に、c-Si表面近傍にプラズマ誘起欠陥が発生しデバイス性能を低下させることが懸念されている。そこで今回、水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を一例として取り上げ、プラズマ成膜時におけるa-Si:H/c-Si界面近傍の欠陥の発生と修復を調べたので報告する。