[11p-Z03-3~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [11p-Z03-5] Characterization of Plasma Process-Induced Defect States in SiO₂ Films Using Transient Current Analysis

〇Takashi Hamano^1,2, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:plasma-induced damage, dielectric film, defect states

プラズマプロセス時に固体材料中に形成される欠陥が半導体デバイスの性能，信頼性に大きな影響を与えている．欠陥形成を考慮したデバイス特性，信頼性の予測モデル構築には，プロセス条件によって変化する欠陥密度，電子状態の同定が不可欠である．本研究では電圧ストレス印加後に絶縁膜から放出される過渡的な電流とバンドギャップ内の欠陥エネルギー準位の関係に着目し，シリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥を高感度に解析した．