[11p-Z03-3~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-Z03-5] 過渡電流解析によるシリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥準位評価

〇濱野 誉^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京都大学、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起欠陥, 絶縁膜, 欠陥準位

プラズマプロセス時に固体材料中に形成される欠陥が半導体デバイスの性能，信頼性に大きな影響を与えている．欠陥形成を考慮したデバイス特性，信頼性の予測モデル構築には，プロセス条件によって変化する欠陥密度，電子状態の同定が不可欠である．本研究では電圧ストレス印加後に絶縁膜から放出される過渡的な電流とバンドギャップ内の欠陥エネルギー準位の関係に着目し，シリコン酸化膜中のプラズマ誘起欠陥を高感度に解析した．