[11p-Z03-3~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [11p-Z03-6] Analysis of Hydrogen-induced Damage in SiN Atomic Layer Etching

〇Akiko Hirata^1,2, Masanaga Fukasawa¹, Katsuhisa Kugimiya¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹, Tercero Jomar², Michiro Isobe², Tomoko Ito², Kazuhiro Karahashi², Satoshi Hamaguchi² (1.Sony Semiconductor Solutions Corp., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Atomic Layer Etching, Damage, Plasma etching

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するために、ポリマーの表面吸着と脱離を繰り返すSiNのALE (Atomic Layer Etching)検討が行われている。今回は吸着ステップに使用されるHに着目し、基板ダメージを実験、計算の双方から解析した。特にHを含有したプラズマを用いるALEでは吸着と脱離、両ステップでのイオン侵入深さ制御が重要である事が示唆された。発表では、電気特性結果も含めて報告する。