[11p-Z04-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [11p-Z04-1] Effect of beam current on the formation of defects by high-temperature implantation of Mg ions into GaN

〇Yuta Ito¹, Hirotaka Watanabe², Yuto Ando¹, Atsushi Tanaka^2,3, Manato Deki⁴, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.VBL Nagoya Univ., 5.ARC Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Mg ion implantation

GaNへのMgイオン注入による任意領域の不純物制御は、電界緩和構造や縦型MOSFETの研究開発に必須の技術である。Mg注入時に導入される欠陥を低減するための手法として、1000 ℃ 以上の高温注入を行った。さらに、ビーム電流量を変化させ、単位時間当たりの注入量の変化と結晶欠陥について、フォトルミネッセンス ( PL ) 評価を行ったのでそれを報告する。