[11p-Z04-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11p-Z04-1] GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響

〇伊藤 佑太¹、渡邉 浩崇²、安藤 悠人¹、田中 敦之^2,3、出来 真斗⁴、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)

キーワード：GaN, Mgイオン注入

GaNへのMgイオン注入による任意領域の不純物制御は、電界緩和構造や縦型MOSFETの研究開発に必須の技術である。Mg注入時に導入される欠陥を低減するための手法として、1000 ℃ 以上の高温注入を行った。さらに、ビーム電流量を変化させ、単位時間当たりの注入量の変化と結晶欠陥について、フォトルミネッセンス ( PL ) 評価を行ったのでそれを報告する。