[11p-Z07-1~14] 6.3 Oxide electronics

△ [11p-Z07-2] Correlation between depth profile of chemical compositions in tantalum oxide and analog controllability of resistive switching

〇Toshiki Miyatani¹, Nishi Yusuke¹, Kimoto Tsunenobu¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:resistive random access memory, RBS

異なる金属(Ni, Ta, Ti)を上部電極としたMetal/TaO_x/Pt素子に対して、高分解能ラザフォード後方散乱を用いた化学組成分布の非破壊分析および抵抗変化特性の評価を行った。本講演では、それぞれの結果から得られる、TaO_x層中での酸素空孔生成量と高抵抗化時における抵抗のアナログ制御性の相関に関して議論する。