[11p-Z09-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [11p-Z09-11] Understanding the Origin of Cryogenic 1/f Noise by Utilizing Cryo-CMOS

〇Hiroshi Oka¹, Takashi Matsukawa¹, Kimihiko Kato¹, Shota Iizuka¹, Wataru Mizubayashi¹, Kazuhiko Endo¹, Tetsuji Yasuda¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:Silicon quantum computer, Cryo-CMOS, Noise

シリコン量子コンピューターの高性能化には、基本素子であるシリコンスピン量子ビットの量子状態の喪失を抑制する必要がある。量子状態は電気ノイズにより失われるが、極低温下で発生するノイズの起源は解明されていない。本研究では量子ビットの性能を制限するノイズの起源を特定するため、面方位の異なる基板上に作製したクライオCMOSの電流揺らぎを系統的に評価し、極低温下で界面欠陥がノイズに及ぼす影響を明らかにした。