[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11p-Z09-5] [（再講演）第11回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 酸化物半導体／IV族半導体 積層型トンネル電界効果トランジスタ

〇加藤 公彦^1,2、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：トンネルFET, 酸化物半導体, IV族半導体

トンネル電界効果トランジスタ（TFET）は、従来のMOSFETの物理的限界を超えた急峻スイッチング性を実現し得る素子として有望である。高性能TFETの実現に向け、我々は、新たな素子構造・材料系をSi CMOSプラットフォーム上で実現するため、酸化物半導体とIV族半導体を用いた積層型TFET構造を提案している。本発表では、ZnO/SiおよびZnO/Ge積層型TFETの初めての動作実証に関する成果を報告する。