The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

Fri. Sep 11, 2020 12:30 PM - 5:15 PM Z12

Kazuhisa Torigoe(SUMCO), Susumu Maeda(GWJ), Takuo Sasaki(QST), Haruo Sudo(GlobalWafers)

3:45 PM - 4:00 PM

[11p-Z12-12] Influence of Plane Stress on the Stability of Metal Impurities in Si Crystal

Hiroya Iwashiro1, Koji Sueoka2, Kazuhisa Torigoe3, Toshiaki Ono3 (1.Graduate School of Engineering Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ., 3.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Stress, Metal

電子デバイスの製造工程においてSiウェーハには様々な応力が負荷され,その大きさはGPaオーダーに達している.このような応力下では金属不純物の形成エンタルピーが変化し,それに伴って熱平衡濃度も変化する.金属不純物の挙動の理解と制御はSiデバイスの信頼性に重要である.そこで,本発表では第一原理計算を用い,表面近傍の平面応力がSiウェーハ中の金属不純物の形成エンタルピーに与える影響について基礎データを得た.