[8p-Z05-1~20] 6.2 Carbon-based thin films

△ [8p-Z05-5] Observation of Heteroepitaxial Diamond Nucleation on Sapphire Substrate

〇(M1)Ryota Takaya¹, Yuki Kawamata², Koji Koyama², Seong-woo Kim², Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ, 2.Adamant Namiki Precision)

Keywords:Heteroepitaxial diamond, Sapphire, Nucleation

ダイヤモンドはSiC、GaNを越える高周波、高出力のパワー半導体として期待されている。その実用化には大口径で高品質なウエファーが不可欠であり、大口径化が可能なサファイア基板上でのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長が報告されている。前回、我々はX線回折から、サファイア基板とその上に堆積したIrバッファ層とダイヤモンド成長層の結晶方位関係を調べ、報告したが、今回我々は同一ヘテロエピ層上のダイヤ核形成過程を観察した。