[8p-Z05-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [8p-Z05-5] サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察

〇(M1)高谷 亮太¹、川又 友喜²、小山 浩司²、金 聖祐²、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード：ヘテロエピタキシャルダイヤモンド, サファイア, 核形成

ダイヤモンドはSiC、GaNを越える高周波、高出力のパワー半導体として期待されている。その実用化には大口径で高品質なウエファーが不可欠であり、大口径化が可能なサファイア基板上でのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長が報告されている。前回、我々はX線回折から、サファイア基板とその上に堆積したIrバッファ層とダイヤモンド成長層の結晶方位関係を調べ、報告したが、今回我々は同一ヘテロエピ層上のダイヤ核形成過程を観察した。