[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [8p-Z17-3] スパッタリング法で室温合成した(Al_1-xSc_x)N膜の強誘電性評価

〇(M2)安岡 慎之介¹、清水 荘雄^1,2、上原 雅人³、山田 浩志³、秋山 守人³、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.物材研、3.産総研)

キーワード：強誘電体, 薄膜, (Al1-xScx)N

従来ペロブスカイト構造酸化物に代表される無機強誘電体膜の作製には、基板加熱が不可欠であり、有機基材上へのフレキシブルデバイス等への応用には制限があった。2019年に強誘電性が初めて報告された(Al_1-xSc_x)N膜は、結晶構造がウルツァイト構造と比較的単純な構造であることから、非加熱での合成が期待できる。本研究では、(Al_1-xSc_x)N膜を二元同時スパッタリング法により非加熱で作製し、強誘電性の評価を行ったので報告する。