1:15 PM - 1:30 PM
[8p-Z26-2] Formation of poly-Si films on textured glass substrates by the flash lamp annealing of hydrogenated amorphous Si films
Keywords:thin film
RIEを用いて作製したテクスチャ基板上にCat-CVD法を用いてa-Si:Hを堆積した試料に対しFLAを行った際の膜剥離抑制を試みた。RIE時間の増大により、poly-Si膜の剥離が抑制できることを示した。また、FLA後の試料のラマンスペクトルにおいて、c-Siのピークが確認され、膜剥離無くpoly-Siを得られることを確認した。アンカー効果によりガラス基板とSi膜の密着性が高まったため、膜剥離が抑止できたと考えられる。