The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Sep 9, 2020 9:00 AM - 11:30 AM Z02

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Kazunobu Kojima(Tohoku Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[9a-Z02-2] Fabrication of DUV-LED on High-Temperature Annealed Sputter-Deposited AlN Template (II)

Kenjiro Uesugi1, Ding Wang2, Yuta Tezen1, Shiyu Xiao2, Kanako Shojiki3, Shigeyuki Kuboya1, Hideto Miyake2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:sputtering, annealing, DUV-LED

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へDUV-LED構造を作製した。転位密度の異なるAlNテンプレートを用いて、AlNおよびAlGaNの結晶性とDUV-LEDの発光特性の関係を評価した。ピーク波長264 nmにおいて、外部量子効率の最大値は約1.7%であった。