[9a-Z20-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [9a-Z20-1] Solid-phase epitaxy of Ga₂O₃ thin films on MgAl₂O₄ substrates by excimer laser irradiation

〇Takumi Matsushima¹, Kazuki Watanabe¹, Tomoaki Oga¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Gallium oxide, Solid-phase epitaxy, excimer laser

Ga₂O₃はα ~ εの多形をとり、広いバンドギャップ(E_g)約4.9 eVをもつ。これまで、Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には、およそ350℃以上の基板温度が必要とされてきた。比較的高温における成膜では問題が生じるため、我々は、エキシマレーザーアニーリング(ELA)による室温固相エピタキシープロセスを見出した。本研究ではMgAl₂O₄基板に着目し、ELAを用いたGa₂O₃薄膜の固相エピタキシーおよびレーザー条件が結晶相・配向性など構造へ与える影響を検討した。