[9a-Z20-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [9a-Z20-4] Growth and Characterization of rh-ITO Epitaxial Thin Films Without the Buffer Layer on the LiTaO₃ Substrate via Mist CVD Method.

〇Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Yuta Arata¹, Yusuke Ito¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Indium Tin Oxide, Transparent Conductive Oxides, Mist CVD

本研究では透明導電膜として広く用いられているITOの準安定相であるrh-ITOに着目した。従来のrh-ITOの作製には基板として用いているα-Al₂O₃との格子不整合を緩和するためにα-Fe₂O₃バッファ層を用いていたため、そのバンドギャップ(2.1 eV)に起因する600 nm近傍の可視光の吸収が生じるという問題があった。本研究では格子不整合を15.3%から6.5%まで低減できるLiTaO₃基板を用いることで、バッファ層を用いないrh-ITOの成長に成功したため報告する。