[9a-Z20-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [9a-Z20-5] Formation and characterization of GZO transparent conductive films on flexible substrates by using plasma-assisted molecular beam deposition (5)

〇(M1)Yohei Sato¹, Kosuke Nakata¹, Shuta Miyashita¹, Tsutomu Muranaka¹, Yoichi Nabetani¹, Takashi Matsumoto¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:Zinc Oxide, Transparent Conductive Film, Molecular Beam Epitaxy

II-VI族化合物半導体であるZnOは、3.4 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるPAMBD法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO (GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表では、PET基板に形成したGZO透明導電膜の成長条件、構造特性、光学的および電気的特性を詳細に調査した結果について報告する。