[9a-Z20-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [9a-Z20-7] Characteristics of amorphous carbon-doped In₂O₃ TFT under bias stress in air and N₂

〇Riku Kobayashi^1,2, Nabatame Toshihide², Onaya Takashi^1,2,3, Ohi Akihiko², Ikeda Naoki², Nagata Takahiro², Tsukagoshi Kazuhito², Ogura Atsushi^1,4 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.JSPS Research Fellow DC, 4.MREL)

Keywords:oxide TFT, reliability

これまでに、我々はALD法で、成長温度を制御することで炭素ドープし、酸素欠損を抑制したアモルファスなIn₂O₃膜(carbon-doped In₂O₃)を作製でき、それをチャネルに用いたTFTで、ノーマリオフが可能な正のV_onを示すトランジスタ特性を報告した。しかし、ALD法によるIn₂O₃ TFTのNBS及びPBSにおける信頼性特性の報告例は少ない。本研究では、ALD法で作製したcarbon-doped In₂O₃膜をチャネル材料としたTFTを作製して、air及びN₂雰囲気におけるNBS及びPBSでのトランジスタ特性について調べた結果を報告する。