The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9a-Z20-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 9, 2020 9:00 AM - 12:00 PM Z20

Kohei Sasaki(Novel Crystal Technology), Fujii Mami(NAIST)

11:15 AM - 11:30 AM

[9a-Z20-9] Evaluation of DUV Photoluminescence Lifetime in Rocksalt-structured MgZnO Films

Kanta Kudo1, Kyohei Ishii2, Mizuki Ono1, Kentaro Kaneko2, Tomohiro Yamaguchi1, Kohei Shima3, Kazunobu Kojima3, Shizuo Fujita2, Tohru Honda1, Shigefusa Chichibu3, Takeyoshi Onuma1 (1.Kogakuin Univ., 2.Kyoto Univ., 3.IMRAM-Tohoku Univ.)

Keywords:MgZnO, TRPL, DUV

深紫外線(DUV)や真空紫外線(VUV)は殺菌や光化学などへ利用されている。固体ベースの発光材料として、岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-MgxZn1-xO)に注目している。これまでに、ミストCVD法を用いて酸化マグネシウムモル分率x>0.5のRS-MgxZn1-xO薄膜を成膜し、CL測定によるDUV、VUV領域での発光を観測した。本研究では、RS-MgxZn1-xOの時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)分光によりPL寿命を観測したため、発光特性改善の観点から報告する。