[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-10] ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga₂O₃基板上に成長したκ-Ga₂O₃薄膜の構造解析

〇梶田 優気¹、西中 浩之¹、新田 悠汰¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体, 酸化ガリウム, ミストCVD法