[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-13] Mist CVD法を用いたα-(AlGa)₂O₃混晶成長におけるアセチルアセトナート錯化の影響

〇太田 茉莉香¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：α-Ga2O3, α-(AlGa)2O3, ミストCVD法

α型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)は5.6 eVの禁制帯幅をもつことが報告されている酸化物半導体である。α-Ga₂O₃とα-Al₂O₃との混晶であるα-(AlGa)₂O₃を用いることで深紫外領域のバンドギャップエネルギー制御が期待されている。本研究では、ミストCVD法を用いてα-(AlGa)₂O₃混晶成長における原料水溶液中のAlイオンのacac化に注目した実験を行ったので報告する。