李虎

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発表者・著者、共著者

2020年3月12日(木) 13:45 〜 18:00 A205 (6-205)

一般セッション(口頭講演)
| 8 プラズマエレクトロニクス
| 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

13:45 〜 14:00

[12p-A205-1] TEOSを用いたSiO₂ PECVD反応機構における酸素イオンとラジカルの役割

〇李虎¹、伝宝一樹¹ (1.東京エレクトロン)