09:45 〜 10:00 [15a-A201-3] 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した混合型積層欠陥境界の構造解析 〇寺西 秀明1、鹿児山 陽平1、宮里 真樹1 (1.富士電機)