15:15 〜 15:30 [14p-B401-7] ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 〇横井 駿一1、古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)