[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-7] Electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO₂/Al₂O₃ double insulators fabricated by ALD

〇Shunichi Yokoi¹, Keita Furuoka¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:semiconductor, GaN, ALD

Al₂O₃とSiO₂を用いて2層絶縁膜を形成することにより、ゲートリーク電流の低いMIS構造を作製することができると考えられ、研究報告がなされている。しかし、2層を共に原子層堆積により作製した報告は十分になされていない。本研究ではデバイス特性の良いMIS-HEMTを作製することを目的とし、ALD-SiO₂/Al₂O₃/ AlGaN/GaN MIS-HEMTの作製・I-V特性の評価を行った。さらに、ノーマリオフ化を図るため、2層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMTを作製し電気特性を評価した。