高木信一

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発表者・著者、共著者

2020年3月13日(金) 13:45 〜 17:45 A305 (6-305)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

16:30 〜 16:45

[13p-A305-9] 酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET

曺光元¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、〇高木信一¹ (1.東大院工)

16:45 〜 17:00

[13p-A305-10] 酸化濃縮法により作製したGOIを用いた引張りひずみGOI nMOSFET

曺光元¹、林澈敏¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹、〇高木信一¹ (1.東大院工)

17:00 〜 17:15

[13p-A305-11] (001)GOI薄膜化によるnMOSFETの電子移動度向上機構に関する考察

〇高木信一¹、曺光元¹、林澈敏¹、トープラサートポンカシディット¹、竹中充¹ (1.東大院工)