11:15 〜 11:30 [14a-B401-9] ゲート絶縁膜除去後に作製したn-GaNショットキーダイオードのDLTS、MCTS測定 〇原田 彩花1、田村 和也2、小島 永遠2、古郡 由希斗2、吉田 光2、徳田 豊2、大川 峰司1、富田 英幹1 (1.トヨタ自動車(株)、2.愛知工大)