18:15 〜 18:30 [14p-A302-17] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における選択的陽極酸化を用いたエッチング深さ制御 〇(M2)清藤 泰旦1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大、2.東大生研)