10:45 〜 11:00 [15a-A201-6] 400 nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価 〇西村 辰彦1、中西 英俊1、川山 巌2,3、斗内 政吉2、細井 卓治4、志村 考功4、渡部 平司4 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.京大院エネ科、4.阪大院工)