一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
10:00 〜 10:15
〇宮木 翼1、水嶋 祐基1、真田 俊之1、濱田 聡美2、福永 明2、檜山 浩國2 (1.静岡大工、2.荏原製作所)
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10:15 〜 10:30
〇平野 智暉1、西尾 賢哉1、深谷 天1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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10:30 〜 10:45
〇竹内 聡1、大堀 大介1、石田 昌久3、曽田 匡洋3、遠藤 和彦4、寒川 誠二1,2,4 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.長瀬産業、4.産総研)
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10:45 〜 11:00
〇木村 慎治1、山口 直1、井上 真雄1 (1.ルネサス)
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11:00 〜 11:15
〇中西 英俊1、西村 辰彦1、伊藤 明1、藤田 雄也1 (1.SCREEN)
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11:15 〜 11:30
〇奥山 亮輔1、柾田 亜由美1、鈴木 陽洋1、小林 弘治1、重松 理史1、廣瀬 諒1、門野 武1、古賀 祥泰1、栗田 一成1 (1.SUMCO)
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11:30 〜 11:45
〇尾花 宏樹1、阿部 成海1、熊谷 祐希1、山下 拓真1、小笠原 稜2、濱田 樹2、宮内 将成2、吉井 稜2、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
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