一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
勝俣 真綸1、清水 陽樹1、清水 啓佑2、〇重松 圭1,3、東 正樹1,3 (1.東工大フロ材研、2.東工大科創院、3.KISTEC)
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09:15 〜 09:30
〇小野 新平1、斉藤 聖2、玉手 亮多2、三輪 一元1、清水 直1、堀井 辰衛2、渡邉 正義2 (1.電中研、2.横浜国立大)
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09:30 〜 09:45
〇矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、田中 貴久1、内田 建1、鳥海 明1 (1.東大マテ)
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09:45 〜 10:00
〇JUN CHEN1、WEI YI1、PENG WANG1、SHUN ITO2、TAKASHI SEKIGUCHI1,3 (1.NIMS、2.Tohoku Univ.、3.Tsukuba Univ.)
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10:00 〜 10:15
小暮 秀伍1、橋本 歩2、吉本 智貴1、徳田 規夫3、山田 悟2、〇川江 健1 (1.金沢大理工、2.石川高専、3.金沢大ナノマリ研)
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10:15 〜 10:30
〇川口 昂彦1、杉田 真由子1、青島 楓汰1、坂元 尚紀1、鈴木 久男1、脇谷 尚樹1 (1.静大工)
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10:45 〜 11:00
辻榮 朝香1、柳瀬 隆2、島田 敏宏2、〇長浜 太郎2 (1.北大CSE、2.北大工)
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11:00 〜 11:15
〇菅 大介1、水牧 仁一朗2、北村 未歩3、小谷 佳範2、瀋 昱帆1、鈴木 郁美1、堀場 弘司3、島川 祐一1 (1.京大化研、2.JASRI/SPring-8、3.KEK-IMSS)
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11:15 〜 11:30
〇中村 駿平1、山原 弘靖1、Sarker Shamim1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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11:30 〜 11:45
〇上田 浩平1、森内 直輝1、福島 健太1、木田 孝則2、萩原 政幸2、松野 丈夫1,3 (1.阪大理、2.阪大先端強磁場、3.阪大CSRN)
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11:45 〜 12:00
〇小塚 裕介1、磯上 慎二1、大久保 忠勝1、葛西 伸哉1,2 (1.物材機構、2.JST-PRESTO)
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12:00 〜 12:15
〇中村 優斗1、松野 丈夫2、岩井 伸一郎3、岸田 英夫1 (1.名大院工、2.阪大院理、3.東北大院理)
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