一般セッション(口頭講演)

[13a-A501-1~8] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2020年3月13日(金) 10:00 〜 12:00 A501 (6-501)

山本竜也(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

▼ [13a-A501-1] Theoretical prediction of giant tunnel magnetoresistance in (111)-oriented magnetic tunnel junctions

〇Keisuke Masuda¹、 Hiroyoshi Itoh²、 Yoshio Miura¹ (1.NIMS、2.Kansai Univ.)

10:15 〜 10:30

▼ [13a-A501-2] Thermal stability of 1X/X nm magnetic tunnel junctions with interfacial or shape anisotropy at high temperature

〇(DC)Junta Igarashi¹、 Kyota Watanabe¹、 Butsurin Jinnai²、 Shunsuke Fukami^1,2,3,4,5、 Hideo Ohno^1,2,3,4,5 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、3.CSRN, Tohoku Univ.、4.CSIS, Tohoku Univ.、5.CIES, Tohoku Univ.)

10:30 〜 10:45

▼ [13a-A501-3] Spin-dependent current modulation in perovskite-oxide-based three-terminal magnetic tunnel junctions for the realization of vertical spin transistors

〇Youhei Asahara¹、 Le Duc Anh^1,2、 Masaaki tanaka^1,3、 Shinobu Ohya^1,2,3 (1.EEIS, Univ. of Tokyo、2.IEI, Univ. of Tokyo、3.CSRN, Univ. of Tokyo)

10:45 〜 11:00

▲ [13a-A501-4] Low power magnetization switching using enhancement of magnetic anisotropy with short-voltage-pulse application

〇Rie Matsumoto¹、 Hiroshi Imamura¹ (1.AIST)

11:00 〜 11:15

▲ [13a-A501-5] Solving Integer Factorization with Stochastic Magnetic Tunnel Junctions and a Quantum Adiabatic Algorithm

〇(DC)William Andrew Borders¹、 Ahmed Zeeshan Pervaiz²、 Shunsuke Fukami^1,3,4,5,6、 Kerem Yunus Camsari²、 Supriyo Datta²、 Hideo Ohno^1,3,4,5,6 (1.RIEC Tohoku Univ.、2.School of Electrical and Computer Engineering Purdue Univ.、3.CIES Tohoku Univ.、4.CSRN Tohoku Univ.、5.CSIS Tohoku Univ.、6.WPI-AIMR Tohoku Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [13a-A501-6] Interactions between a magnetic skyrmion and anisotropy walls

〇(M1)三木颯馬^1,2、 Liu Chaozhe^1,2、田村英一^1,2,3、 Cho Jaehun⁴、後藤穣^1,2、野村光^1,2、中谷亮一¹、鈴木義茂^1,2 (1.阪大、2.阪大CSRN、3.京大工、4.DGIST)

11:30 〜 11:45

[13a-A501-7] 生体磁場測定用TMR磁気センサの開発

藤原耕輔¹、〇大兼幹彦²、チャキルサブリ¹、熊谷静似¹、安藤康夫^2,1 (1.ｽﾋﾟﾝｾﾝｼﾝｸﾞﾌｧｸﾄﾘｰ、2.東北大学)

11:45 〜 12:00

▲ [13a-A501-8] Nanotesla-field detectivity with hysteresis-free magnetic tunnel junctions

〇(P)Mahmoud Rasly Eldesouky¹、 Tomoya Nakatani¹ (1.NIMS)

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