[12a-A202-1~7] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12a-A202-6] 高感度CMOSイメージセンサ向けシリコンウェーハの製品設計
-炭化水素分子イオン注入によるSiO₂/Si界面準位の制御-

〇奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：水素、界面準位