[12a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12a-A302-1] Correlation between step bunching during the homoepitaxial growth of GaN by MOVPE and off angle of free standing substrate

〇Hirotaka Watanabe¹, Shugo Nitta¹, Yuto Ando², Manato Deki¹, Atsushi Tanaka^1,3, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,4,5 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Dept. of Electronics.,Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:semiconductor, crystal growth, MOVPE

我々は、これまでに自立GaN基板上のp-nダイオードの電流リーク箇所の調査を行ってきた。電流リーク分布が結晶成長後に観測されるステップバンチングの形状を反映していることを報告している。これらのpnダイオードは、HVPEで作製された自立GaN基板上にMOVPE法を用いてデバイス構造を作製している。本研究では、nGaN成長後に観測されるステップバンチングとGaN基板オフ角の依存性について議論する。