[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-D419-1] High-sensitivity detecting of K and Na ion concentrations using a-InGaZnO TFT

〇Kazushige Takechi¹, Shinnosuke Iwamatsu², Yutaka Murakami², Hiroshi Tanabe¹, Yoshiyuki Watanabe² (1.Tianma Japan, 2.Yamagata Res. Inst. Technol.)

Keywords:oxide-semiconductor TFT, sensor, ion concentration

a-InGaZnO TFTの延長トップゲート電極の先端にイオン感応膜を付与し、被検液に溶存するKイオンやNaイオンの濃度変化に対する信号電圧の変化を測定した。また、従来の市販イオン電極型センサでも同様な測定を行い、これらの結果を比較した。その結果、イオン濃度の変化に対して、市販センサよりも1桁高い信号電圧の変化がTFTセンサで得られ、高感度センシングのポテンシャルを確認した。