[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-D419-4] [Young Scientist Presentation Award Speech] Development of highly reliable and stable chemical sensors based on extended-gate type amorphous oxide semiconductor thin-film transistor

〇Yuki Hashima¹, Takanori Takahashi¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, chemical sensor

化学センサの開発にむけて分子認識能に基づいた自己組織化単分子膜 (SAM) を延長ゲート型TFTに導入した応用が行われている。認識情報を読み出すセンサ用のTFTに注目した研究は少なく、利用されているTFTの特性が低移動度・低On/Off比や電気的に不安定であるものが多い。そこで、本研究ではa-IWZOを活性層に用いた高い信頼性を有するTFTの開発とそのセンサ応用を行った。