[12a-D419-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-D419-3] Hydrogenation or Oxidization to In-Sn-Zn-O TFTs and the Evaluation of the Reliability

〇Kousaku Shimizu¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Oxide Semiconductor, Gap states, Reliability

非晶質酸化物TFTの信頼性について検討を行っている。これまで伝導帯下約1.5 eVの欠陥準位の増減がNBISと顕著な相関を持っていることを明らかにしてきた。今回は、酸化物TFTの性能低下の原因の一つであるバックチャネル側の欠陥準位に着目し、原子状水素、酸素を照射した。​TFT特性には水素化、酸素化の効果が認められるものの、構造に影響を与えない非常に微量の注入であることが分かった。