[12a-PA2-1~77] 17 Nanocarbon Technology

[12a-PA2-63] Electric behavior modulation by doping group 13 elements into SnSe₂ crystals using Bridgman method

〇Daisuke Akane¹, Ueno Keiji¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:tin diselenide, Bridgman method, substitutional doping

電界効果トランジスタの微細化問題の解決を期待されている半導体材料に半導体層状物質がある．その1つに低融点という特徴を有する二セレン化スズ(SnSe₂)が存在する．しかし，その応用の際にはp型・n型の伝導型制御が求められるが，SnSe₂は自身の欠陥に由来して強くnドープされている．本研究では，SnSe₂のもつ低融点という特徴を活かして，Bridgman法による単結晶成長を行い，SnSe₂単結晶への13族元素(Al, In)ドープによる電気的挙動の変化を調べた．