[12p-A202-1~13] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [12p-A202-2] A study on the evaluation of bias stress effects on a SiO₂/Si interface using local deep level transient spectroscopy

〇(B)Koharu Suzuki¹, Kohei Yamasue¹, Yasuo Cho¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, interface defect density, Local DLTS

界面状態が非常に良好なSiO₂/Si は，Si MOSFETなどのデバイス用途に広く用いられている．Siデバイスの微細化が進展する現在，ナノスケールの空間分解能でSiO₂/Si界面を評価することは極めて重要であると考えられる．本報告では走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を応用した局所DLTS（Local Deep Level Transient Spectroscopy）を用いて，バイアス印加によるストレスを受けたSiO₂/Siの界面準位密度(D_it)評価を試みた結果を報告する．