[12p-A202-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A202-4] ホモエピタキシャル成長によるシリコン多形の結晶成長の可能性 ー自由エネルギーによる評価ー

〇北 玲男¹、豊田 雅文¹、斎藤 晋¹ (1.東工大理)

キーワード：シリコン、多形、第一原理計算